تكنولوجيا

تجمد السريع

التصلب السريع هو الأمثل آخر على أساس رذاذ عملية تشكيل (وتسمى أيضا رذاذ ترسب)، وهو مشابه لعملية الانحلال comminuting، بل هو عملية تشكيل المعادن الذي ينفث المنصهر، والمعادن المفتت في ركيزة الدورية لتشكيل سبيكة معدنية أو البليت . معدل التصلب عال من نتائج عملية في الكثافة النسبية يصل فوق 99.2٪ .بعد التالية عمل الساخن (تشكيل، ولفة، قذف أو HIPP)، والمواد هي تشكيله ليكون  المنتجات الكثيفة.
بالمقارنة مع التكنولوجيا التقليدية، التصلب السريع لديه ميزات عالية الدقة، المجهرية متجانسة، خصائص ممتازة ومنخفضة التكلفة، وتستخدم على نطاق واسع في العديد من المجالات الراقية، مثل الهندسة الإلكترونية المعلومات والأجهزة الطبية الحيوية، قطع غيار السيارات، والآلات والأسلحة وصناعة الطيران إلخ

مقارنة المجهرية

والمجهرية مقارنة بين السريع تجمد السي السبائك والصب التقليدية السي سبائك

ويرجع ذلك إلى عملية التصلب السريعة، والمواد تقدم العديد من المزايا، مثل تكوين متجانسة، المجهرية التكرير، لا macrosegregation وانخفاض الأكسجين content.Compared إلى صب التقليدية، وتزوير وعملية مسحوق المعادن، والتكنولوجيا التصلب السريع يمكن أن تنتج سبائك لا تتحقق قبل الصب مع طرق إنتاج قصيرة، وعمليات مبسطة وعالية efficiency.It ترسب ليس فقط فارغة إعداد التكنولوجيا، ولكن أيضا الأجزاء المعدنية مباشرة تصنيع process.Until الآن، أصبح التصلب السريع نقطة ساخنة في تطوير وتطبيقات عالم جديد المواد.

مواد متنوعة والنزاهة

قوة متفوقة، والمغناطيسية، والتآكل خصائص بسبب الكثافة العالية التي تحققت بالمقارنة مع التقليدية مساحيق معدنية ومنتجات البلاستيك ويموت الصب.

القدرة على خلق السبائك التي لا تتوفر في شكل المطاوع أو المدلى بها.


من الصور أعلاه: سبائك Baienwei السي الحالي شكل equiaxed، بينما بينما التقليدية صب السبائك السي الحالي شكل التغصنات، مما يعزز إلى حد كبير في الأداء الكلي للمادة.

مزايا المنتج

اختيار عينة من منتجات التعبئة والتغليف الإلكترونية AlSi50 لاختبار محتوى سي. بعد أخذ العينات، وطحن وتلميع، تحت تحليل البنية المجهرية للضوء والبرمجيات، وكانت النتائج على النحو التالي:

تحليل المجهرية

من مجهرية 200 مرة من سبائك الألومنيوم السيليكون عالية، والسيليكون يوزع بالتساوي، هيكل سبائك كثيفة.
يتكون السيليكون من سبائك الألومنيوم السيليكون عالية من أحجام مختلفة من جزيئات السيليكون.حجم الجسيمات السيليكون الكبير هو حول 10μm، وحجم الجسيمات الصغيرة تحت 5μm.